率先升级台积电4纳米，明年的联发科天玑下一代旗舰真是“又快又稳”

时间来到九月，有关下一代旗舰芯片的消息陆续浮出水面。近日就有多位知名数码博主先后爆料称，下一代天玑5G旗舰芯片将采用目前最强的台积电4nm制程，同时采用Arm V9架构，硬件规格达到顶级旗舰水准，瞬间引来了一波业内的强烈关注，而这背后，或许也夹杂着今年“5nm发热”的一种种遗憾。有业内人士认为，凭借爆料中提到的台积电4nm与Arm V9这对黄金组合，下一代天玑旗舰芯片将是明年移动芯片性能和功耗的“天花板”。同时手握这两张王牌的联发科，将在2022年的旗舰芯片竞争中获得明显优势。

传闻下一代天玑旗舰将采用台积电4nm制程+Arm V9架构（图/网络）

功耗定海神针+性能屠龙刀，2022旗舰芯片战力新标准

今年因为缺芯而略显沉寂的旗舰机市场预计将在明年迎来大爆发。全新的4nm制程和Arm V9架构等技术革新，也会让各大手机厂商的竞争更加激烈。众所周知，接下来4nm制程芯片的产能主要由台积电和三星提供，而相比起三星4nm制程，业内普遍认为台积电4nm制程在功耗、发热方面均有明显优势，是旗舰手机芯片功耗的“定海神针”。

如果说台积电4nm是2022年旗舰机功耗的“定海神针”，那么Arm V9架构就是旗舰机性能的“屠龙宝刀”。相比前代，采用Arm V9架构的芯片在整体运行速度、AI性能、安全性等方面均有明显地提升。台积电4nm制程带来的功耗表现，正是发挥好Arm V9架构性能优势的重要前提，两者相辅相成，缺一不可。

Arm V9架构相比前代提升明显，多方面性能得到升级（图/网络）

手握台积电4nm与Arm V9架构，让“定海神针”叠加“屠龙宝刀”的威力，让联发科有底气打造出拥有强劲战力的顶级旗舰芯片，成就下一代天玑旗舰芯片在功耗和性能方面的优异表现。凭借台积电4nm制程与Arm V9架构黄金组合带来的性能和功耗优势，联发科有望在旗舰芯片市场实现弯道超车。

踏准制程节奏，集合先进技术，弯道超车战略大成

从追赶到超越，我们可以看到联发科在高端市场的底气是越来越足了，而这样的底气自然离不开联发科对先进技术的不懈追求。回顾今年的手机市场，天玑6nm制程芯片组合在三星5nm工艺功耗翻车的大环境下，凭借台积电6nm制程的出色表现，获得了众多终端厂商的青睐，助推天玑系列芯片的销量起飞。

得益于此，天玑系列芯片的市场成绩也一路高歌猛进，凭借丰富的产品组合，联发科在2021年上半年再次交出亮眼的成绩单。根据市场研究机构Counterpoint近期公布的全球智能手机AP（应用处理器）芯片市场份额的数据显示，联发科在2021年第二季度手机芯片市场的占有率高达38％，连续四个季度夺得第一。

Counterpoint报告显示，联发科的市场占有率连续四季度蝉联第一（图/网络）

正是对芯片领域的深刻洞察，联发科得以踏准技术和制程节奏，最终再次取得骄人的销售成绩。半导体圈内有预测，联发科2022年上半年或将主打台积电4nm+6nm组合，明显胜于三星的4nm+5nm组合，2021年“6nm>5nm”，2022年“4nm（TSMC）>4nm”，联发科的手里一直有张好牌。

据悉，下一代天玑5G旗舰芯片将于年底亮相，终端旗舰手机也将于明年一季度陆续上市。不久后的联发科将在旗舰芯片市场发起又一波强势冲击，将为明年旗舰机市场带来怎样的活力，着实让人期待。