第三代半导体芯片企业瞻芯电子完成数亿元融资，广汽资本等机构参与

近日,国内领先的碳化硅(SiC)高科技芯片企业上海瞻芯电子科技有限公司(下称瞻芯电子)宣布完成总金额达数亿元的A+和A++轮融资,广汽资本与光速中国、小米产投、宁德时代等多家机构共同参与。

根据公开信息,成立于2017年的瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅半导体领域的高科技芯片公司,主营业务涵盖碳化硅功率器件、功率模块及相应的驱动和控制芯片的研发销售,为电源和电驱动系统的小型化、轻量化和高效化提供完整的半导体解决方案。根据公开资料显示,瞻芯电子是国内第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司。

瞻芯电子是国内第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司

碳化硅是第三代半导体材料,也是典型的宽禁带半导体材料。与目前常见的硅基材料相比,碳化硅具有更好的能耗表现,达到同等性能效果的碳化硅器件尺寸仅为硅基器件的1/10,能耗减少3/4,因此碳化硅被认为是目前制备高压及高频器件一种全新的衬底材料,特别符合5G基站、新能源车及高铁等新兴应用对器件高功率及高频性能的要求。

业界普遍认为,基于碳化硅材料本身的优良特性,以其制成的功率器件在开关频率、耐压等级、高温特性等方面具有突出优势,在新能源汽车、电力、工业等领域具有广阔的应用前景。尤其是2017年以来,随着碳化硅主电驱模块在特斯拉Model 3上得到成功应用,加速推动了行业的产能扩张、良率提升与成本下降,碳化硅器件在新能源汽车、光伏、工业电源等多个领域的应用渗透开始提速。

东兴证券研究称,2019 年全球碳化硅功率器件市场规模为 5.41 亿美元,预计 2025 年将增长至 25.62 亿美元,年化复合增速约 30%。

与此同时,国家“双碳战略”的提出,又进一步加快碳化硅半导体领域的发展。华为《数字能源2030》白皮书指出,随着碳化硅材料和工艺的进一步成熟,诸如SiC MOSFET这类高效功率半导体器件在轨道交通、工业电源、民用家电等领域的渗透率将快速提升,预计2030年,光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前2%增长到70%以上,在充电基础设施、电动汽车领域渗透率会超过80%,同时在通信电源、服务器电源领域也将全面推广应用。

2019年全球碳化硅功率器件市场规模为 5.41 亿美元,媒体预测,2025年这一市场将增长至 25.62 亿美元,年增速约 30%。有业界人士认为,双碳战略和芯片国产替代等因素的助推下,中国的碳化硅半导体产业正处于爆发前夜。

在完成此次两轮融资后,瞻芯电子有望加速碳化硅功率器件领域的研发进程与产能建设。

据了解,2017年成立之初,瞻芯电子便启动了6英寸SiC MOSFET产品的研发工作,并于2020年以虚拟IDM模式实现了多个规格产品的成功量产,成为目前国内仅有几家掌握相关设计与制造工艺的厂家之一。

据透露,目前瞻芯电子以SiC MOSFET为核心的全碳化硅产品线已于开关电源、电控和汽车电子应用领域得到应用,开始建立技术和市场领先的形象。

在参与瞻芯电子此轮融资的企业中,广汽资本最近两年在芯片和智能网联领域的布局频繁,尤为引人关注。

据知情人士透露,自2019年开始,广汽资本便开始了围绕汽车“新四化”,在芯片和智能网联领域通过投资进行布局,通过投资经纬恒润、地平线、星河智联、粤芯半导体、中芯集成、上海芯钛、禾多科技等超过20个项目,目前已渗透进半导体材料、芯片设计制造、芯片应用、传感器制造、智能驾驶技术、人工智能应用、车联网等多个关键环节。